參數(shù)資料
型號(hào)： BUK573-48C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor Clamped logic level FET
中文描述： 13 A, 30 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： BUK573-48C
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Clamped logic level FET
BUK573-48C
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.5. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.6. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V.
Fig.8. Typical transconductance
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
1
100
VDS / V
ID / A
100
10
1
0.1
BUK573-48C
10
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
10 us
tp =
RDS(ON) = VDS/ID
DC
Self-clamped
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-hs / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
ZTHX43
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
BUK5Y3-48C
VGS / V = 5
VDS / V
ID / A
4
3.5
2.5
4.5
3
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
BUK5Y3-48C
VGS / V
ID / A
Tmb / degC =
150
25
-55
0
10
20
30
40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
5
BUK5Y3-48C
VDS / V
RDS(ON) / Ohm
2.5
4.5
3.5
3
10
VGS / V = 4
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
BUK5Y3-48C
Id / A
gfs / S
Tmb / degC =
150
25
-55
August 1994
4
Rev 1.000
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PDF描述
BUK7213-40A 36-PIN FEM CONN PCB RA 1284-C MINI-CEN
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BUK856-800A Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT
BUT11XI Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Yellow; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-76C Type MW; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
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