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參數(shù)資料
| 型號： | BUK444-800 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 功率金屬氧化物半導體晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | BUK444-800 |
Philips Semiconductors
Product Specification
PowerMOS transistor
BUK444-800A/B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.15. SOT186; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10.2
max
5.7
max
3.2
3.0
0.9
0.5
4.4
max
2.9 max
4.4
4.0
seating
plane
7.9
7.5
17
max
0.55 max
1.3
13.5
min
2.54
5.08
0.9
0.7
1
2
3
M
0.4
top view
3.5 max
not tinned
4.4
April 1993
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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