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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK436W-800A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 80V 50A-Ifsm 0.79Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL |
| 中文描述： | 4 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUK436W-800A |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK436W-800A/B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.15. SOT429 (TO247); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
February 1998
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK436W-800B | DIODE, SCHOTTKY, SM, 100V.3A, B310 |
| BUK436-800B | PowerMOS transistor |
| BUK438-1000A | PowerMOS transistor |
| BUK438-1000B | PowerMOS transistor |
| BUK438W-800A | RECTIFIER BRIDGE 8A 100V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK436W800B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436W-800B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| BUK437-400A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK437-400B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK437-450B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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