參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ304A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 6 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： BUJ304A
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ304A
Fig.13. Reverse bias safe operating area (T
j
< T
jmax
)
for -V
be
= 5V,3V & 1V
Fig.14. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
clamp
< 1100V; V
= 150V; -V
= 5V,3V & 1V;
L
B
= 1
μ
H; L
C
= 200
μ
H
300
400
500
600
700
800
900
1,000
1,100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCE clamp (V)
IC/A
-5V
-3V
-1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
March 1999
5
Rev 1.000
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PDF描述
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