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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2727A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BU2727A |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2727A
Fig.12. Test Circuit RBSOA.
V
= 150 V; -V
= 1 - 4 V;
L
C
= 1 mH; V
= 1500 V; L
= 0.5 - 2
μ
H;
C
FB
= 1 - 3 nF; I
B(end)
= 0.8 - 4 A
Fig.13. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
100
1000
1700
0
5
10
15
20
25
30
35
VCE / V
IC / A
BU2727A/AF/D/DF
Area where
fails occur
September 1997
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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