參數(shù)資料
型號： BU2730
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 擴散硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： BU2730
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2730AL
GENERAL DESCRIPTION
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelope intended for use in
horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
I
Csat
t
s
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
Collector saturation current
Storage time
CONDITIONS
V
BE
= 0
TYP.
-
-
-
-
-
-
9
3.5
MAX.
1700
825
16
40
125
5.0
-
4.5
UNIT
V
V
A
A
W
V
A
μ
s
T
mb
≤
25 C
I
B
= 1.8 A
f = 32 kHz
I
Csat
= 9 A; f = 32 kHz
PINNING - SOT430
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
collector
3
emitter
heat
sink
collector
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
PARAMETER
V
CESM
Collector-emitter voltage peak value
V
CEO
Collector-emitter voltage (open base)
I
C
Collector current (DC)
I
CM
Collector current peak value
I
B
Base current (DC)
I
BM
Base current peak value
-I
B(AV)
Reverse base current
-I
BM
Reverse base current peak value
1
P
tot
Total power dissipation
T
stg
Storage temperature
T
j
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
MAX.
1700
825
16
40
10
15
200
10
125
150
150
UNIT
V
V
A
A
A
A
mA
A
W
C
C
average over any 20 ms period
T
mb
≤
25 C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
R
th j-a
PARAMETER
Junction to mounting base
Junction to ambient
CONDITIONS
-
in free air
TYP.
-
35
MAX.
1.0
-
UNIT
K/W
K/W
1
2
3
b
c
e
1
Turn-off current.
April 1997
1
Rev 1.000
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PDF描述
BU2730S Consumer IC
BU2762AL
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