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參數(shù)資料
| 型號： | BU2727A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 825 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BU2727A |
Philips Semiconductors
Preliminary specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2727A
Fig.3. Switching times waveforms (64 kHz).
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit.
Fig.6. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
CE
ICsat
B
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2727A/AF
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
hFE
IC / A
VCE = 5 V
Tmb = 25 C
Tmb = 85 C
September 1997
3
Rev 1.100
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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