參數(shù)資料
型號： BLF247B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： ECONOLINE: RM & RL - Single Output Rail- Industry Standard Pinout- 1kVDC & 2kVDC Isolation- High Efficiency for Low Power Applications- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Fully Encapsulated- Efficiency to 80%
中文描述： 2 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大小： 75K
代理商： BLF247B
August 1994
10
Philips Semiconductors
Product specification
VHF push-pull power MOS transistor
BLF247B
Fig.13 Input impedance as a function of frequency
(series components), typical values per
section.
V
DS
= 28 V.
I
DQ
= 2
×
100 mA.
T
h
= 25
°
C.
P
L
= 150 W (total device).
0
100
200
300
4
0
8
12
4
MBD291
Zi
(
)
f (MHz)
r
x
i
i
Fig.14 Load impedance as a function of frequency
(series components), typical values per
section.
V
DS
= 28 V.
I
DQ
= 2
×
100 mA.
T
h
= 25
°
C.
P
L
= 150 W (total device).
0
100
200
300
6
4
2
0
MBD293
ZL
(
)
f (MHz)
R
X
L
L
Fig.15 Definition of MOS impedances.
handbook, halfpage
MBA379
Zi
ZL
Fig.16 Power gain as a function of frequency,
typical values per section.
V
DS
= 28 V.
I
DQ
= 2
×
100 mA.
T
h
= 25
°
C.
P
L
= 150 W (total device).
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
100
200
300
30
10
0
20
MBD292
f (MHz)
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PDF描述
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