參數(shù)資料
型號(hào)： BFY50
廠商： SEMELAB LTD
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
封裝： METAL CAN, TO-39, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY50
1997 Apr 22
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BFY50; BFY51; BFY52
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
BFY50
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
200
200
700
1
mV
mV
mV
V
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
BFY51; BFY52
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
C
= 150 mA; I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 50 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C
7
200
350
1
1.6
1.2
1.3
1.5
2
12
mV
mV
V
V
V
V
V
V
pF
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
f
T
collector capacitance
transition frequency
BFY50
BFY51; BFY52
60
50
140
MHz
MHz
Switching times (between 10% and 90% levels)
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
turn-on time
delay time
rise time
turn-off time
storage time
fall time
I
Con
= 150 mA; I
Bon
= 15 mA;
I
Boff
=
15 mA
55
15
40
360
300
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFY90CSM Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFY90DCSM Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFY90 WIDE BAND VHF/UHF AMPLIFIER
BFY90 Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors
BG2011SM-B Microwave/Millimeter Wave Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFY50 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
BFY50_02 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
BFY50L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
BFY51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFY51 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
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