參數(shù)資料
型號： BFY50
廠商： 意法半導體
英文描述： MEDIUM POWER AMPLIFIER
中文描述： 中功率功率放大器
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： BFY50
1997 Apr 22
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN medium power transistors
BFY50; BFY51; BFY52
PACKAGE OUTLINE
UNIT
a
b
D
D
1
j
k
L
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
6.60
6.35
0.48
0.41
9.39
9.08
8.33
8.18
0.85
0.75
0.95
0.75
14.2
12.7
α
0.2
45
°
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT5/11
TO-39
97-04-11
k
j
D
A
L
seating plane
b
D
1
0
5
10 mm
scale
A
5.08
Metal-can cylindrical single-ended package; 3 leads
SOT5/11
A
w
A
M
M
B
M
α
B
a
1
2
3
相關PDF資料
PDF描述
BFY51 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BFY50 Small Signal Transistors
BFY51 Small Signal Transistors
BFY52 Small Signal Transistors
BFY50 MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BFY50 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
BFY50_02 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIERS NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
BFY50L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
BFY51 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BFY51 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5
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