型號(hào): | BC856BS |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 65 V, 100 mA PNP-PNP general-purpose transistor |
中文描述: | 100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, SC-88, 6 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 8/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 93K |
代理商: | BC856BS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC856BS,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/PNP -65 V -100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC856BS/DG/B2,115 | 功能描述:TRANS GEN PURPOSE SC-88 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
BC856BS/DG/B3X | 功能描述:TRANS GEN PURPOSE SC-88 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:2 PNP(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |