參數(shù)資料
型號(hào)： BC856BS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 65 V, 100 mA PNP-PNP general-purpose transistor
中文描述： 100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： BC856BS
BC856BS_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 11 August 2009
6 of 12
NXP Semiconductors
BC856BS
65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 3.
Per transistor: DC current gain as a function of
collector current; typical values
T
amb
= 25
°
C
Fig 4.
Per transistor: Collector current as a function
of collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=
5 V; T
amb
= 25
°
C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 6.
Per transistor: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 5.
Per transistor: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa541
200
400
600
h
FE
0
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa540
V
CE
(V)
0
10
8
4
6
2
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
I
C
(A)
0
0.25
I
B
(mA) =
2.5
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
1.75
2.0
2.25
006aaa544
0.6
0.8
1
V
BE
(V)
0.4
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
006aaa542
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
0.5
0.9
1.3
0.3
0.7
1.1
V
BEsat
(V)
0.1
(1)
(2)
(3)
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PDF描述
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