參數(shù)資料
型號(hào)： BC856BS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 65 V, 100 mA PNP-PNP general-purpose transistor
中文描述： 100 mA, 65 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： BC856BS
BC856BS_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 11 August 2009
5 of 12
NXP Semiconductors
BC856BS
65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
7.
Characteristics
Table 8.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Per transistor
I
CBO
collector-basecut-off
current
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CB
=
50 V; I
E
= 0 A
V
CB
=
30 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°
C
V
EB
=
6 V; I
C
= 0 A
-
-
-
-
15
5
nA
μ
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
-
-
100
nA
h
FE
V
CE
=
5 V
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
2 mA
I
C
=
10 mA;
I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA
I
C
=
10 mA;
I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA
V
CE
=
5 V
I
C
=
2 mA
I
C
=
10 mA
-
200
-
270
290
55
-
450
100
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
mV
-
-
200
755
300
850
mV
mV
V
BEsat
base-emitter
saturation voltage
-
900
-
mV
V
BE
base-emitter voltage
600
-
-
650
-
2.3
750
820
-
mV
mV
pF
C
c
collector capacitance V
CB
=
10 V;I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
emitter capacitance
V
EB
=
0.5 V;
I
C
= i
c
= 0 A; f = 1 MHz
transition frequency
V
CE
=
5 V; I
C
=
10 mA;
f = 100 MHz
noise figure
V
CE
=
5 V; I
C
=
0.2 mA;
R
S
= 2 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
V
CE
=
5 V; I
C
=
0.2 mA;
R
S
= 2 k
; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
C
e
-
10
-
pF
f
T
100
-
-
MHz
NF
-
1.6
-
dB
-
2.9
-
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856BW High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125
BC856AW-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857AW-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858AW-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857CW-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856BS _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC856BS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BS,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/PNP -65 V -100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BS/DG/B2,115 功能描述:TRANS GEN PURPOSE SC-88 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC856BS/DG/B3X 功能描述:TRANS GEN PURPOSE SC-88 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:2 PNP（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*