BSL303SPEH6327XTSA1

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封裝
批號
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說明
操作

BSL303SPEH6327XTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TSOP6-6
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSL303SPEH6327XTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
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BSL303SPEH6327XTSA1 PDF下載

功能描述
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
6.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
33 毫歐 @ 6.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 30μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
20.9nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1401pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝
PG-TSOP6-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

BSL303SPEH6327XTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSL302SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 7.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:750pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL302SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 7.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:750pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL296SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 1.26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:152.7pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:P-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSL215PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.55nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:346pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL215CL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.73nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSOP6-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEL6327HTSA1 BSL314PEH6327XTSA1 BSL314PEL6327HTSA1 BSL315PL6327HTSA1 BSL316CH6327XTSA1 BSL316CL6327HTSA1 BSL372SNH6327XTSA1 BSL373SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 BSL716SNH6327XTSA1 BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SNL6327HTSA1 BSL806NH6327XTSA1 BSL806NL6327HTSA1 BSM BSM-015G-LF BSM080D12P2C008