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BSM200GB60DLCHOSA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSM200GB60DLCHOSA1
    BSM200GB60DLCHOSA1

    BSM200GB60DLCHOSA1

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Infineon Technologies

  • IGBT MODULE 600V 230

  • 22+

  • -

  • BSM200GB60DLCHOSA1
    BSM200GB60DLCHOSA1

    BSM200GB60DLCHOSA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 5888

  • Infineon

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • BSM200GB60DLCHOSA1
    BSM200GB60DLCHOSA1

    BSM200GB60DLCHOSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • BSM200GB60DLCHOSA1
    BSM200GB60DLCHOSA1

    BSM200GB60DLCHOSA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSM200GB60DLCHOSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT MODULE 600V 230A
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • -
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 600V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 230A
  • 功率 - 最大值
  • 730W
  • 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
  • 2.45V @ 15V，200A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 500μA
  • 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）
  • 9nF @ 25V
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應商器件封裝
  • 模塊
  • 標準包裝
  • 10
BSM200GB60DLCHOSA1 技術參數
  • BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM1-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口 進線數:2 端接:壓接 線規(guī):18-20 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標準包裝:10 BSM1-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 18-20 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口 進線數:2 端接:壓接 線規(guī):18-20 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標準包裝:100 BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q
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