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BSM1-C

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSM1-C
    BSM1-C

    BSM1-C

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品，

  • BSM1-C
    BSM1-C

    BSM1-C

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 1900

  • Panduit

  • ROHS

  • 1322+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • BSM1-C
    BSM1-C

    BSM1-C

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3620

  • Panduit

  • ROHS

  • 201305+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
BSM1-C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 端子 Metric Butt Splice non-insulated, 0.5
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • AVX
  • 產(chǎn)品
  • Junction Box - Wire to Wire
  • 系列
  • 9826
  • 線規(guī)
  • 26-18
  • 接線柱/接頭大小
  • 絕緣
  • 顏色
  • Red
  • 型式
  • Female
  • 觸點電鍍
  • Tin over Nickel
  • 觸點材料
  • Beryllium Copper, Phosphor Bronze
  • 端接類型
  • Crimp
BSM1-C 技術(shù)參數(shù)
  • BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:12 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M
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