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BSM50GB170DN2HOSA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BSM50GB170DN2HOSA1
    BSM50GB170DN2HOSA1

    BSM50GB170DN2HOSA1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Infineon Technologies

  • IGBT 1700V 72A 500W

  • 22+

  • -

  • BSM50GB170DN2HOSA1
    BSM50GB170DN2HOSA1

    BSM50GB170DN2HOSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會(huì)軒3607

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • 模塊

  • 19+

  • -

  • 代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

  • BSM50GB170DN2HOSA1
    BSM50GB170DN2HOSA1

    BSM50GB170DN2HOSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSM50GB170DN2HOSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 上次購買時(shí)間
  • IGBT 類型
  • -
  • 配置
  • 半橋
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 1700V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 72A
  • 功率 - 最大值
  • 500W
  • 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
  • 3.9V @ 15V，50A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • -
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 8nF @ 25V
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模塊
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
BSM50GB170DN2HOSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:* 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，35A 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4 BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E
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免責(zé)聲明：以上所展示的BSM50GB170DN2HOSA1信息由會(huì)員自行提供，BSM50GB170DN2HOSA1內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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