參數(shù)資料
型號(hào)： AT32UC3C2512C-A2ZT
廠商： Atmel
文件頁(yè)數(shù)： 65/109頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 800
系列： AVR®32 UC3 C
核心處理器： AVR
芯體尺寸： 32-位
速度： 66MHz
連通性： CAN，以太網(wǎng)，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 45
程序存儲(chǔ)器容量： 512KB（512K x 8）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存
RAM 容量： 64K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 11x12b，D/A 2x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 64-TQFP
包裝： 托盤(pán)
59
9166DS–AVR-01/12
AT32UC3C
7.7
Flash Characteristics
Table 7-15 gives the device maximum operating frequency depending on the number of flash
wait states. The FSW bit in the FLASHC FSR register controls the number of wait states used
when accessing the flash memory.
Table 7-15.
Maximum Operating Frequency
Flash Wait States
Read Mode
Maximum Operating Frequency
0
1 cycle
25MHz
1
2 cycles
50MHz
Table 7-16.
Flash Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
tFPP
Page programming time
fCLK_HSB = 50MHz
17
ms
t
FPE
Page erase time
17
tFFP
Fuse programming time
1.3
tFEA
Full chip erase time (EA)
18.3
t
FCE
JTAG chip erase time (CHIP_ERASE)
f
CLK_HSB = 115 kHz
640
Table 7-17.
Flash Endurance and Data Retention
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
NFARRAY
Array endurance (write/page)
10k
cycles
N
FFUSE
General Purpose fuses endurance (write/bit)
500
cycles
t
RET
Data retention
15
years
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