- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄64116 > APTGF50DDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APTGF50DDA60T3G |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | APTGF50DDA60T3G |
APTGF50DDA60T3G
A
P
T
G
F
50
D
A
60T
3G
–
R
ev
1
N
ove
m
be
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
VGE = 15V
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n)
,T
u
rn-
O
n
D
e
la
y
Ti
m
e(
n
s)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
t
d
(o
ff
),
T
u
rn
-O
ff
D
el
a
yT
im
e
(n
s
)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e
(n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,Fa
ll
Ti
m
e(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 2.7
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.5
1
1.5
2
0
25
50
75
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Tur
n-
O
n
E
n
e
rgy
L
o
ss
(
m
J
)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 2.7
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
255075
100
125
150
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
of
f,
Tur
n-
o
ff
E
n
er
g
yLos
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 2.7
Eon, 50A
Eoff, 50A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
c
h
ing
E
n
e
rgy
Los
se
s(
m
J
)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
20
40
60
80
100
120
0
200
400
600
I C
,Co
lle
c
to
rC
u
rr
en
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50H120TG | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50VDA120T3G | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT150DA120D1G | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DA60T | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGT200DA60T | 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APTGF50DH120T | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module |
| APTGF50DH120T3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 |
| APTGF50DH120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF50DH60T1G | 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APTGF50DH60TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。