參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50DDA60T3G
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 317K
代理商： APTGF50DDA60T3G
APTGF50DDA60T3G
A
P
T
G
F
50
D
A
60T
3G
–
R
ev
1
N
ove
m
be
r,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
01234
Ic
,C
o
llect
o
r
C
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
01
234
5
678
9
10
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,C
o
lle
c
to
rC
u
rr
en
t(
A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
V
CE
,Co
lle
ct
o
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,Co
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e
(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100 125
TJ, Junction Temperature (°C)
Co
lle
c
to
rt
o
E
m
it
te
rBr
ea
kd
o
w
n
V
o
lt
ag
e(N
o
rm
al
iz
ed
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,DC
C
o
lle
ct
o
rCu
rr
en
t(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
VCE=120V
VCE=300V
VCE=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
25
50
75
100 125 150 175 200
Gate Charge (nC)
V
GE
,G
at
et
o
E
m
it
te
rV
o
lt
ag
e(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=-55°C
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
0
123
4
Ic
,Co
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50H120TG 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGT150DA120D1G 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF50DH60T1G 功能描述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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