參數(shù)資料
型號： APTGT150DA120D1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, D1, 7 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： APTGT150DA120D1G
APTGT150DA120D1G
APTG
T150DA120
D1G
–
Rev
1
D
ecem
ber,
2009
www.microsemi.com
1- 4
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
220
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
150
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
300
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
690
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
300A @ 1100V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
1
2
3
Q2
6
7
VCES = 1200V
IC = 150A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
High level of integration
M5 power connectors
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
RoHS Compliant
Boost chopper
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關PDF資料
PDF描述
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA120D3G 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT30X60T3G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400U120D4G 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGT150DA12DX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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