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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APA300-BG456 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 147/178頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA PROASIC+ 300K 456-PBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 24 |
| 系列： | ProASICPLUS |
| RAM 位總計(jì)： | 73728 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 290 |
| 門(mén)數(shù)： | 300000 |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 456-BBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 456-PBGA（35x35） |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)當(dāng)前第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)
ProASICPLUS Flash Family FPGAs
2- 60
v5.9
Synchronous SRAM Write
Note: The plot shows the normal operation status.
Figure 2-33 Synchronous SRAM Write
Table 2-57 TJ = 0°C to 110°C; VDD = 2.3 V to 2.7 V for Commercial/Industrial
TJ = –55°C to 150°C, VDD = 2.3 V to 2.7 V for Military/MIL-STD-883
Symbol txxx
Description
Min.
Max.
Units
Notes
CCYC
Cycle time
7.5
ns
CMH
Clock high phase
3.0
ns
CML
Clock low phase
3.0
ns
DCH
DI hold from WCLKS
↑
0.5
ns
DCS
DI setup to WCLKS
↑
1.0
ns
WACH
WADDR hold from WCLKS
↑
0.5
ns
WDCS
WADDR setup to WCLKS
↑
1.0
ns
WPCA
New WPE access from WCLKS
↑
3.0
ns
WPE is invalid while
PARGEN is active
WPCH
Old WPE valid from WCLKS
↑
0.5
ns
WRCH, WBCH WRB & WBLKB hold from WCLKS
↑
0.5
ns
WRCS, WBCS
WRB & WBLKB setup to WCLKS
↑
1.0
ns
Note: On simultaneous read and write accesses to the same location, DI is output to DO.
WCLKS
WPE
WADDR, DI
WRB, WBLKB
Cycle Start
tWRCH, tWBCH
tWRCS, tWBCS
tDCS, tWDCS
tWPCH
tDCH, tWACH
tWPCA
tCMH
tCML
tCCYC
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