參數(shù)資料
型號： AP9930GM
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： 5.5 A, 30 V, 0.033 ohm, 4 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： AP9930GM
AP9930GM
N-Channel
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
0
2
4
6
8
10
12
0
4
8
12
16
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
=5A
V
DS
=15V
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
R
thja
= 186
℃
/W
t
T
0.02
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
A
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9930M 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT
AP9934GM 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9962H N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9962J N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9972GI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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