參數(shù)資料
型號(hào)： AP9926M
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： AP9926M
AP9926M
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C )
V
G
(
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
DS
=20V
I
D
=6A
10
100
1000
1
5
9
13
V
DS
(V)
17
21
25
29
C
f=1.0MHz
Ciss
Coss
Crss
0.01
0.1
1
10
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
I
S
(
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9926O N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9926TGO N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9928GEO N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9930GM 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9930M 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT
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參數(shù)描述
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