參數(shù)資料
型號(hào)： AP9926M
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： AP9926M
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
Fig 6. Typical Power Dissipation
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
AP9926M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
25
50
75
100
125
150
T
c
, Case Temperature (
o
C)
I
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
50
100
150
T
c
, Case Temperature (
o
C)
P
D
(
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.5
SINGLE PULSE
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
Rthja = 270
℃
/W
t
T
0.02
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
I
D
(
T
c
=25
o
C
Single Pulse
1s
1ms
10ms
100ms
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9926O N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9926TGO N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9928GEO N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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AP9930M 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT
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參數(shù)描述
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