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參數(shù)資料
| 型號： | AOB436 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | AOB436 |
AOB436
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
4.63
494
692
593
830
18
59
142
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
V
DS
(Volts)
15
20
25
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
V
DS
=12.5V
I
D
=30A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=3°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
A
=25°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note E)
10
μ
s
100
μ
s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=175°C, T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOB436L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB438 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB438L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD400 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD400L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOB436L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB438 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB438L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB440 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOB442 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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