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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOB403L |
| 廠商： | ALPHA |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | AOB403L |
AOB403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Z
θ
J
T
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=55°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
10
0.00001
15
20
25
30
0.0001
0.001
Time in avalanche, t
A
(s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
-
D
(
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
25
50
75
T
CASE
(°C)
100
125
150
175
Figure 13: Power De-rating (Note B)
P
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
25
50
75
T
CASE
(°C)
100
125
150
175
Figure 14: Current De-rating (Note B)
C
D
(
DD
D
A
V
BV
I
L
t
=
T
A
=25°C
0
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
P
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOB405 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB405L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB416 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB416L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB418 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOB405 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB405L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOB409L | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A TO263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOB410L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| AOB411L | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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