參數(shù)資料
型號(hào)： AOB403L
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 174K
代理商： AOB403L
AOB403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
-Q
g
(nC)
25
30
35
40
45
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
3600
4000
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001
200
400
600
800
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
μ
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=175°C, T
A
=25°C
V
DS
=-30V
I
D
=-30A
A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=1.8°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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