參數(shù)資料
型號(hào)： AOB405
廠商： ALPHA
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： AOB405
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
11
45
2.5
Max
16
54
3
R
θ
JC
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
W
T
A
=70°C
1.5
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
P
DSM
2.3
A
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
W
Avalanche Current
C
Continuous Drain
Current
B,G
Maximum
-40
±20
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
G
T
A
=100°C
G
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
I
D
Gate-Source Voltage
Pulsed Drain Current
-12
-12
-30
-12
30
50
°C
25
A
AOB405
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -40V
I
D
= -12A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 48m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 72m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AOB405 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low
gate resistance. With the excellent thermal resistance
of the D2PAK package, this device is well suited for
high current load applications.
Standard Product
AOB405 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOB405L is a Green Product ordering
option. AOB405 and AOB405L are electrically
identical.
G
D
S
G D S
TO-263
D2-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOB405L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB416 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB416L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB418 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB418L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOB405L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOB409L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A TO263 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOB410L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:100V N-Channel MOSFET
AOB411L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOB411L_001 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），78A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*