型號: | AOA400L |
廠商: | ALPHA |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 112K |
代理商: | AOA400L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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AOB403 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AOB403L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AOB405 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AOB405L | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AOB416 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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AO-AGSM-OM54 | 功能描述:ANTENNA GSM / UMTS OMNI 7DB - OM 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 配件類型:天線 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
AOB10B60D | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:IGBT 10A 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 10A TO263 |
AOB10B65M1 | 功能描述:IGBT 650V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,10A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:180μJ(開),130μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/91ns 測試條件:400V,10A,30 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):262ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
AOB10N60 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V,10A N-Channel MOSFET |
AOB10N60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |