型號(hào): | AO8801 |
廠商: | ALPHA |
英文描述: | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | 雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) |
文件大小: | 113K |
代理商: | AO8801 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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AO8801L | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO8803 | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO8803L | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO8804 | LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP |
AO8806 | LJT 6C 6#12 SKT WALL RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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AO8801A | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSF P CH DL 20V 4.5A 8TSSOP |
AO8801AL | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):905pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
AO8801L | 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO8802 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
AO8803 | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH -12V -7A 8TSSOP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR |