AOD607

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
MOSFET COMPL 30V 12A TO252
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列
-
產(chǎn)品目錄繪圖
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
FET 型
2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
SI7948DP-T1-GE3DKR

AOD607 技術(shù)參數(shù)

AOD606 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道，共漏 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W，1.7W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD604 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W，1.7W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-6，DPak（5 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:TO-252-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD603A 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道，共漏 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A，3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD5T40P_101 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.9A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:273pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:52W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.45 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOD5T40P 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.45 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:273pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L