AOE6936

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說明
操作

AOE6936
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強北都會軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
DFN5x6E
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

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功能描述
MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
55A (Tc), 85A (Tc)
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5 毫歐 @ 20A, 10V, 2 毫歐 @ 20A, 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA，2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V
功率 - 最大值
24W, 39W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（5x6）
標準包裝
3,000

AOE6936 技術(shù)參數(shù)

AOE6932 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A, 10V, 1.4 毫歐 @ 20A, 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AOE6930 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 20A, 10V, 0.83 毫歐 @ 30A, 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA，1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AOE6922 功能描述:MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售標準包裝:3,000 AOD9T40P 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6.6A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 AOD9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:860 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1160pF @ 25V 功率 - 最大值:178W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 AOI208 AOI2210 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146 AOI418