AOI206_002

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 18A TO251A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaMOS
包裝
散裝
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
18A（Ta），46A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
5 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
33nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
1333pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝
TO-251A
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

AOI206_002 技術(shù)參數(shù)

AOI1N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 650mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 650mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:399 毫歐 @ 3.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOH3254 功能描述:MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:675pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.1W (Ta) 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 5A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-223-4 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AOH3110 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT223 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 900mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146 AOI418 AOI4184 AOI4185 AOI423 AOI4286 AOI442 AOI444 AOI452A AOI468 AOI472A