AOI2610E

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

AOI2610E
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
200000
YXYBDT臺(tái)灣
TO-251A
2024+
-
代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

AOI2610E
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
TO-251A
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AOI2610E
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
IPAK/TO-251
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 46A TO251A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
*
零件狀態(tài)
在售
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500

AOI2610E 技術(shù)參數(shù)

AOI2610 功能描述:MOSFET NCH 60V 46A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2007pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI2606 功能描述:MOSFET NCH 60V 46A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI2210 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2065pF @ 100V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOI208 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta），54A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:70 AOI206_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1333pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251A 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146 AOI418 AOI4184 AOI4185 AOI423 AOI4286 AOI442 AOI444 AOI452A AOI468 AOI472A AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60