APTM50DHM75TG

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功能描述
MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM50DHM75TG 技術(shù)參數(shù)

APTM50DHM65TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DHM65T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DHM38G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DHM35G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:99A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 49.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DDAM65T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50H15FT1G APTM50HM35FG APTM50HM38FG APTM50HM65FT3G APTM50HM65FTG APTM50HM75FT3G APTM50HM75FTG APTM50HM75SCTG APTM50HM75STG APTM50SKM17G APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG