APTB1612LSURKCGKC

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APTB1612LSURKCGKC
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
175000
Kingbright
LED原廠規(guī)格
23+
-
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功能描述
Green, Red 570nm Green, 630nm Red LED Indication - Discrete 1.9V Green, 1.8V Red 4-SMD, No Lead
制造商
kingbright
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
顏色
綠，紅
透鏡顏色
無色
透鏡透明度
透明
毫燭光等級
3mcd 綠，9mcd 紅
透鏡樣式/尺寸
矩形，帶平頂，1.20mm x 1.25mm
電壓 - 正向（Vf）（典型值）
1.9V 綠，1.8V 紅
電流 - 測試
2mA 綠，2mA 紅
視角
120°
安裝類型
表面貼裝
波長 - 主
570nm 綠，630nm 紅
波長 - 峰值
574nm 綠，645nm 紅
特性
-
封裝/外殼
4-SMD，無引線
供應(yīng)商器件封裝
4-SMD
大小/尺寸
1.60mm 長 x 1.25mm 寬
高度（最大值）
0.85mm
標準包裝
2,000

APTB1612LSURKCGKC 技術(shù)參數(shù)

APTB1612LQBDCGKC 功能描述:Blue, Green 465nm Blue, 570nm Green LED Indication - Discrete 2.7V Blue, 1.9V Green 4-SMD, No Lead 制造商:kingbright 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效顏色:藍，綠透鏡顏色:無色透鏡透明度:透明毫燭光等級:12mcd 藍，3mcd 綠透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，1.20mm x 1.25mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 藍，1.9V 綠電流 - 測試:2mA 藍，2mA 綠視角:120° 安裝類型:表面貼裝波長 - 主:465nm 藍，570nm 綠波長 - 峰值:460nm 藍，574nm 綠特性:- 封裝/外殼:4-SMD，無引線供應(yīng)商器件封裝:4-SMD 大小/尺寸:1.60mm 長 x 1.25mm 寬高度（最大值）:0.85mm 標準包裝:2,000 APTB1612ESGC-F01 功能描述:Green, Red 568nm Green, 617nm Red LED Indication - Discrete 2.2V Green, 2V Red 0605 (1613 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效顏色:綠，紅透鏡顏色:無色透鏡透明度:透明毫燭光等級:12mcd 綠，7mcd 紅透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，1.20mm x 1.25mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.2V 綠，2V 紅電流 - 測試:20mA 綠，20mA 紅視角:120° 安裝類型:表面貼裝波長 - 主:568nm 綠，617nm 紅波長 - 峰值:565nm 綠，627nm 紅特性:- 封裝/外殼:0605（1613 公制）供應(yīng)商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 長 x 1.25mm 寬高度（最大值）:0.65mm 標準包裝:1 APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:97A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 48.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G APTC60AM45B1G APTC60AM45BC1G APTC60AM45T1G