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APTC60DDAM35T3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTC60DDAM35T3G
    APTC60DDAM35T3G

    APTC60DDAM35T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

  • 23+

  • -
  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTC60DDAM35T3G
    APTC60DDAM35T3G

    APTC60DDAM35T3G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • MICROSEMI

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • APTC60DDAM35T3G
    APTC60DDAM35T3G

    APTC60DDAM35T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTC60DDAM35T3G
    APTC60DDAM35T3G

    APTC60DDAM35T3G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • MICROSEMI

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 10+

  • -
  • APTC60DDAM35T3G
    APTC60DDAM35T3G

    APTC60DDAM35T3G

  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺(tái)號(hào)新亞洲二期N2B227

  • 23587

  • Microsemi Power Products

  • 原廠封裝

  • 2023+

  • -
  • 原裝新到現(xiàn)貨庫(kù)存

  • APTC60DDAM35T3G-MODULE
    APTC60DDAM35T3G-MODULE

    APTC60DDAM35T3G-MODULE

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 1899

  • MICROCHIP

  • NA

  • 近兩年

  • -
  • 查價(jià)格、訂購(gòu)可到京北通宇商城www.jb...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
APTC60DDAM35T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60DDAM35T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60DDAM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):95A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DAM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):72A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DAM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):95A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DAM18CTG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):143A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 71.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1036nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):28000pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60BBM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):95A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G
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免責(zé)聲明:以上所展示的APTC60DDAM35T3G信息由會(huì)員自行提供,APTC60DDAM35T3G內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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