您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2559頁 >

APTC60DAM35T1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTC60DAM35T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 72A SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTC60DAM35T1G 技術參數
  • APTC60DAM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DAM18CTG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):143A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 71.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1036nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28000pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC60BBM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60AM83BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產 FET 類型:3 N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM83B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產 FET 類型:3 N 溝道(相角 + 升壓斬波電路) FET 功能:超級結 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG
配單專家

在采購APTC60DAM35T1G進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買APTC60DAM35T1G產品風險,建議您在購買APTC60DAM35T1G相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APTC60DAM35T1G信息由會員自行提供,APTC60DAM35T1G內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (m.hkdtupc.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號