APTC60AM83BC1G

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功能描述
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
制造商
microsemi corporation
系列
CoolMOS??
包裝
托盤
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路）
FET 功能
超級結(jié)
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
36A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
83 毫歐 @ 24.5A、 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 3mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
250nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
7200pF @ 25V
功率 - 最大值
250W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SP1
供應(yīng)商器件封裝
SP1
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APTC60AM83BC1G 技術(shù)參數(shù)

APTC60AM83B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM45BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:3?N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM45B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:3?N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:49A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DHM24T3G APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G