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APTC90DAM60CT1G

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  • 數(shù)量
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  • APTC90DAM60CT1G
    APTC90DAM60CT1G

    APTC90DAM60CT1G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • MOSFET N-CH 900V 59A

  • 22+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APTC90DAM60CT1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90AM60T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90AM60SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90AM602G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TDU15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC80TA15PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G
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