APTCFGP2VTR

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APTCFGP2VTR
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Apem Inc.
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G

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功能描述
觸覺開關(guān) SW TACT SPST 0.05A 12VDC
RoHS
否
制造商
C&K Components
工作力
2 N
執(zhí)行器
Round
電流額定值
50 mA
電壓額定值 DC
32 V
電壓額定值 AC
功率額定值
1 VA
接地端子
Yes
觸點(diǎn)形式
SPST-NO
開關(guān)功能
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
安裝方向
Right
晶體管管座高度
顏色
照明
Not Illuminated
照明顏色
封裝

APTCFGP2VTR 技術(shù)參數(shù)

APTCFGP1VTR 功能描述:Tactile Switch SPST-NO Top Actuated Surface Mount 制造商:apem inc. 系列:APTC 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電路:SPST-NO 開關(guān)功能:關(guān)-瞬時(shí) 不同電壓時(shí)的觸頭額定電流:0.05A @ 12VDC 致動(dòng)器類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:表面貼裝 PCB 外致動(dòng)器高度（從引腳計(jì)算）:2.10mm 致動(dòng)器方向:頂部觸動(dòng) 端子類型:鷗翼型外形:4.70mm x 3.50mm 照明:不發(fā)光照明電壓（標(biāo)稱值）:- 照明類型，顏色:- 作用力:160gf 侵入防護(hù):- 特性:接地引腳致動(dòng)器材料:熱塑塑膠開關(guān)行程:0.20mm 機(jī)械壽命:- 工作溫度:-25°C ~ 70°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,400 APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK APTD1608LSYCK/J3-PF APTD1608LVBC/D