參數(shù)資料
型號： 2SK3727-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： 2.2 A, 900 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： 2SK3727-01
2
Characteristics
2SK3727-01
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
5
10
VDS [V]
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
20V
7.0V
6.5V
10V
6.0V
I
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.1
1
10
1
10
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.0
0.5
1.0
1.5
ID [A]
2.0
2.5
3.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
6.5V
R
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
VGS=5.5V
10V
20V
7.0V
6.0V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
17.5
20.0
22.5
25.0
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=1.1A,VGS=10V
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