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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK370 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | N通道結(jié)型（低噪聲音頻放大器應用） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | 2SK370 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK371 | N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SK3727-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK372 | N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS) |
| 2SK373 | N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO, HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND CONSTANT CURRENT APPLICATIONS) |
| 2SK3747 | High-Voltage, High-Speed Switching Applications |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3700(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3702 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3703 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3703-1E | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS（導通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel |
| 2SK3703-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES |
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