參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3597
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： N溝道功率MOSFET硅
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商： 2SK3597
3
2SK3597-01
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=30A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=15A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
Tch [
°
C]
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
μ
A
V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
Vcc= 100V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
0
20
40
60
ID [A]
80
100
120
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
7.0V
6.5V
R
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
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PDF描述
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