- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371556 > 2SK3597 (FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.) N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3597 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | 2SK3597 |
2
Characteristics
2SK3597-01
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
0
25
50
starting Tch [
°
C]
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=30A
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
120
20V
7.0V
10V
8V
6.5V
7.5V
6.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
Surface mounted on
1000mm
2
,t=1.6mm FR-4 PCB
(Drain pad area : 500mm
2
)
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3601-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3606-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3608 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3608-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3608-S | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3598-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3599-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3603-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3604-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3606-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 131 Milliohms;ID +/-18A;TO-220AB;PD 105W |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。