參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3174A
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述: 硅?通道場效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: 2SK3174A
2SK3174A
Rev.0, Aug. 2001, page 6 of 8
30
46
42
38
34
Frequency f (MHz)
830
840
850
860
870
880
890
300
200
150
100
50
0
50
20
30
40
50
60
V = 28 V
I =1.2A
c
f=1MHz
Inter Modulation
vs. Total Output Power
Total Output Power Pout-total (dBm)
250
80
60
50
40
30
20
70
Output Power, Drain Rational
vs. Frequency
O
D
η
D
Pout
η
D
70
IM3H
IM3L
IM7H
IM5L
IM5H
IM7L
V = 28 V
I = 1.2 A
Pin = 14 W
80
90
100
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PDF描述
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2SK3176 功能描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3176(F) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3176_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications
2SK3176_09 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications