參數(shù)資料
型號： 2SK3174A
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： 2SK3174A
2SK3174A
Rev.0, Aug. 2001, page 2 of 8
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
Pch
Note1
60
V
Gate to source voltage
±10
V
Drain current
16
A
Drain peak current
Note2
32
A
Channel dissipation
Note3
252
W
Channel temperature
Tch
175
°C
Storage temperature
1. Pin=0, PW
≤
0.1sec
2. PW
≤
10ms, duty cycle
≤
50 %
3. Value at Tc = 25°C
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
Electrical Characteristics
(Tc = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Zero gate voltage drain current
Note4
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
|
y
fs
|
Ciss
—
—
1
mA
μ
A
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±10 V, V
DS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
V
DS
=10 V, I
D
= 5 A
V
= 5 V, V
DS
= 0
f = 1 MHz
Gate to source leak current
Note4
—
—
±3
Gate to source cutoff voltage
Note4
1.0
2.3
3.0
Forward transfer admittance
Note4
5
4.0
6.7
—
S
Note5
Input capacitance
Note4
—
162
—
pF
Reverse transfer capacitance
Note4
Crss
—
4
—
pF
V
= 10 V, V
GS
= 0
f = 1 MHz
Output Power
Pout
200
270
—
W
V
= 28 V, I
DQ
= 1.2 A
f = 860 MHz
Pin = 14 W
Drain Rational
η
D
—
64
—
%
V
= 28 V, I
DQ
= 1.2 A
f = 860 MHz
Pin = 14 W
Note:
4. Shows 1 unit FET
5. Pulse Test
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PDF描述
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