參數(shù)資料
型號： 2SK3162
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SK3162
2SK3162
6
20
16
12
8
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V = 0, –5 V
10 V
5 V
50
40
30
20
10
25
50
75
100
125
150
0
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E = 1
2
V
V – V
AP
DSS
DD
2
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Avalanche Waveform
Avalanche Test Circuit
I = 20 A
V = 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
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