參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3162
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SK3162
2SK3162
3
Main Characteristics
40
30
20
10
0
50
100
150
200
100
3
10
1
0.1
0.01
1
2
10 20
100
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Ta = 25 °C
Tc = 75°C
25°C
–25°C
C
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
V = 10 V
Pulse Test
100μs
1ms
DCOpeaion(Tc=25°C
50
40
30
20
10
3.5 V
3 V
V =2.5 V
10 V
Pulse Test
6 V
4 V
0.3
0.03
500
30
5
50
200
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PDF描述
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